BB504MDS-TL-E
内置偏置电路MOSFET,电流:30mA,耐压:6V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- BB504MDS-TL-E
- 商品编号
- C3282965
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 6V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.8pF |
商品特性
- 内置偏置电路;降低使用部件成本和印刷电路板空间。
- 低噪声;在 f = 200MHz 时,典型噪声系数 NF = 1.0 dB;在 f = 900MHz 时,典型噪声系数 NF = 1.75 dB
- 高增益;在 f = 200MHz 时,典型功率增益 PG = 30dB;在 f = 900MHz 时,典型功率增益 PG = 22dB
- 抗静电放电;内置静电放电吸收二极管。在 C = 200pF、Rs = 0 的条件下,可承受高达 200V 的静电放电。
- 提供小型塑封封装;MPAK - 4(SOT - 143Rmod)