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DMN2025U-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:5.6A
- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2025U-7
- 商品编号
- C3282908
- 商品封装
- SOT23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 485pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 91pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-静电保护栅极-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-背光源-电源管理功能-DC-DC转换器-电机控制