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场效应管(MOSFET)
2SK1968-E
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此图展示了型号为 2SK1968-E 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 2SK1968-E 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
2SK1968-E
N通道,电流:12A,耐压:600V
品牌名称
RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号
2SK1968-E
商品编号
C3282853
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
12A
导通电阻(RDS(on))
880mΩ@10V
耗散功率(Pd)
100W
阈值电压(Vgs(th))
3V@1mA
属性
参数值
输入电容(Ciss)
1.8nF
反向传输电容(Crss)
60pF
工作温度
-55℃~+150℃
类型
N沟道
输出电容(Coss)
400pF
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