PMV65XPEA215

采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

• 沟槽MOSFET技术
• 极快的开关速度
• 增强的功耗能力:Ptot = 890 mW
• 2 kV人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护
• 通过AEC - Q101认证

• 继电器驱动器
• 高速线路驱动器
• 高端负载开关
• 开关电路