商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（R_D1D2(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 坚固的高压终端设计
- 规定了雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 该二极管适用于桥接电路
- 规定了高温下的 IDSS 和 VDS(on)
- 绝缘安装孔减少了安装硬件
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-桥接电路