MTW16N40E
MTW16N40E
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MTW16N40E
- 商品编号
- C3282724
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款高压MOSFET采用先进的终端设计方案,在不随时间降低性能的前提下,增强了电压阻断能力。此外,这款先进的功率MOSFET经设计可承受雪崩和换向模式下的高能量。全新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管。这些器件专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速开关应用而设计,尤其适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严苛的桥接电路,并且能针对意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
- 坚固的高压终端设计
- 规定了雪崩能量
- 源漏二极管恢复时间与分立快速恢复二极管相当
- 该二极管适用于桥接电路
- 规定了高温下的 IDSS 和 VDS(on)
- 绝缘安装孔减少了安装硬件
应用领域
-电源-转换器-PWM电机控制-桥接电路