FDMC4436BZ
P沟道MOSFET,电流:-18A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC4436BZ
- 商品编号
- C3282176
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.045nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 385pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 395pF |
商品概述
MAX8704大电流线性稳压器采用外部n沟道MOSFET，为笔记本电脑生成低压电源。该线性稳压器可在低至1.0V的输入电压下产生低至0.5V的输出电压。通常，如此低的输入要求会使此类稳压器的设计变得非常困难。在此应用中，系统中始终可用的5V偏置电源为MAX8704驱动器和控制电路供电。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -8.5 A时,最大rDS(on) = 20 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -6.3 A时,最大rDS(on) = 37 mΩ
- 扩展的VGSS范围(-25 V),适用于电池应用
- 高性能沟槽技术,实现极低的rDS(on)
- 高功率和电流处理能力
- 典型HBM ESD保护等级 >7 kV
- 100%经过UII测试
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC降压转换器中的高端开关-笔记本电脑电池电源管理-笔记本电脑中的负载开关