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IXTT1N450HV
N沟道增强型MOSFET,电流:1A,耐压:4500V
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- 描述
- 特性：高阻断电压。高压封装。易于安装。节省空间。高功率密度。应用：高压电源。电容放电应用
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTT1N450HV
- 商品编号
- C3281743
- 商品封装
- TO-268AA
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 4.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80Ω@10V,50mA | |
| 耗散功率(Pd) | 520W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 29pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
Power MOS 7°是新一代低损耗、高压、N沟道增强型功率MOSFET。Power MOS 7°通过显著降低RDS(ON)和Qg，同时解决了导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7°结合了更低的导通和开关损耗，以及先进功率技术公司（APT）专利金属栅极结构固有的极快开关速度。
商品特性
- 更低的输入电容
- 更高的功率耗散
- 更低的米勒电容
- 更易于驱动
- 更低的栅极电荷Qg
- 常用的TO - 264 Max封装