RM15P60LD
P沟道,电流:13A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM15P60LD
- 商品编号
- C3281394
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
RM75N60LD采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = -60V, ID = -13A
- RDS(ON)< 90 m Ω@ VGS=-10 V
- RDS(ON)< 115 m Ω@ VGS=-4.5 V
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量下具有良好的稳定性和一致性
- 出色的封装,具备良好的散热性能
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源-无卤