RM12N100LD
N沟道,电流:12A,耐压:100V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM12N100LD
- 商品编号
- C3281391
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
RM12N100LD采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100V,漏极电流(ID) = 12A
- 栅源电压(VGS)= 10V时,RDS(ON) < 112 mΩ
- 栅源电压(VGS)= 4.5V时,RDS(ON) < 120 mΩ
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻(Rdson)
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高单脉冲雪崩能量(Eas),稳定性和一致性良好
- 采用优秀封装,散热性能良好
- 无卤
- 产品型号后缀V表示符合AEC-Q101标准,例如:RM12N100LDV
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源