RM40N100LD
N沟道,电流:40A,耐压:100V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM40N100LD
- 商品编号
- C3281389
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 221pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 100 V,ID = 40 A
- RDS(ON) < 17 m Ω(在 VGS = 10 V 时)(典型值:14.5 m Ω)
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
- 用于超低RDS(ON)的高密度单元设计
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源