RM75N60LD
N沟道增强型功率MOSFET,电流:75A,耐压:60V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM75N60LD
- 商品编号
- C3281384
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 60V,ID = 75A
- RDS(ON) < 11.5 m Ω(在 VGS = 10 V 时,典型值为9.1mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和均匀性
- 采用散热性能良好的优质封装
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源