RM10N100LD
N沟道,电流:10A,耐压:100V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM10N100LD
- 商品编号
- C3281381
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 730pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 37pF |
商品概述
RM70P40LD采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件非常适合高电流负载应用。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 10A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 130 mΩ(典型值:95 mΩ)
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 140 mΩ(典型值:100 mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完整
- 具有高EAS,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源