RM40N40LD
N沟道增强型功率MOSFET,电流:42A,耐压:40V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM40N40LD
- 商品编号
- C3281379
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.314nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- VDS = 40V, ID = 42A
- RDS(ON)< 11.5 m Ω(VGS=10 V时)
- RDS(ON)< 16.5 m Ω(VGS=4.5 V时)
- 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 采用散热性能良好的出色封装
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源