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SIHS36N50D-GE3

N沟道,电流:23A,耐压:500V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHS36N50D-GE3
商品编号: C3281127
商品封装: TO-247AC
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度降低传导损耗、提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。 SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化，具有出色的反向恢复性能，可省去额外元件并提高系统可靠性。

商品特性

优化设计
低面积比导通电阻
低输入电容 (Ciss)
降低电容性开关损耗
高体二极管耐用性
雪崩能量额定值 (UIS)
最佳效率和运行性能
低成本
简单的栅极驱动电路
低品质因数 (FOM):Ron × Qg
快速开关

应用领域

消费电子
显示器(LCD 或等离子电视)
服务器和电信电源
开关电源 (SMPS)
工业领域
焊接、感应加热、电机驱动
电池充电器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	500V
	连续漏极电流(Id)	36A
	导通电阻(RDS(on))	130mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	446W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	3V
	栅极电荷量(Qg)	125nC@10V
	输入电容(Ciss)	3.233nF
	反向传输电容(Crss)	25pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道