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IRFZ48RPBF

N沟道 MOSFET,电流:50A,耐压:60V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRFZ48RPBF
商品编号: C3280735
商品封装: TO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术,以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势,再加上功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计师提供了一种极其高效且可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 TO - 220AB封装在功率耗散水平约达50 W的所有商业 - 工业应用中普遍受到青睐。TO - 220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。

商品特性

先进的工艺技术
超低导通电阻
动态dV/dt额定值
175°C工作温度
快速开关
全雪崩额定值
可直接替代线性/音频应用中的SiHFZ48

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	50A
	导通电阻(RDS(on))	18mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	190W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	110nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.4nF
	反向传输电容(Crss)	190pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道