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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDP120AN15A0

N沟道,电流:14A,耐压:150V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDP120AN15A0
商品编号
C3280635
商品封装
TO-220-3​
包装方式
管装
商品毛重
2.68克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V
耗散功率(Pd)65W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)14.5nC@10V
输入电容(Ciss)770pF
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)85pF

商品概述

采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管(FET)。这些器件具备TrenchPLUS电流感应功能。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证,适用于汽车关键应用。

商品特性

  • 低导通电阻,降低传导损耗
  • 符合Q101标准
  • 集成电流传感器,减少元件数量
  • 适用于标准电平栅极驱动源

应用领域

  • 电动助力转向系统(EPAS)
  • 发动机可变气门正时系统

数据手册PDF