FDP120AN15A0
N沟道,电流:14A,耐压:150V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP120AN15A0
- 商品编号
- C3280635
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。这些器件具备TrenchPLUS电流感应功能。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 导通电阻rDS(ON) = 101 mΩ(典型值),栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 4 A
- 总栅极电荷Qg(tot) = 11.2 nC(典型值),栅源电压VGS = 10 V
- 低密勒电荷
- 低反向恢复电荷体二极管
- 具有非钳位电感开关(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)
应用领域
- 直流-直流转换器和离线式UPS
- 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
- 24V和48V系统的主开关
- 高压同步整流器
- 直接喷射/柴油喷射系统
- 电子气门机构系统