FQP16N15
N沟道,电流:16.4A,耐压:150V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP16N15
- 商品编号
- C3280619
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
这些N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺特别针对最小化导通电阻进行了优化。这些器件特别适用于低压应用，如DC/DC转换器和高效开关电路，这些应用需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- 58 A，30 V。VGS = 10 V时，RDS(ON) = 0.011 Ω
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 0.019 Ω
- 低栅极电荷（典型值34 nC）
- 低Crss（典型值175 pF）
- 快速开关速度
应用领域
- DC/DC转换器-高效开关电路