FDP6670AL
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP6670AL
- 商品编号
- C3280485
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 580pF |
商品特性
- 80 A、30 V,RDS(ON) = 6.5 m Ω @ VGS = 10 V
- R D S (O N) = 8. 5 m Ω @ V G S = 4. 5 V
- 指定了高温下的关键直流电气参数
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 \mathsfRDS(ON)
- 最高结温额定值为175°C