HUF75309P3
1个N沟道 耐压:55V 电流:19A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75309P3
- 商品编号
- C3280484
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
该器件采用了全新的先进沟槽MOSFET技术，在保持低导通电阻的同时，具有低栅极电荷的特点。 该器件针对开关应用进行了优化，提高了DC/DC转换器的整体效率，并允许在更高的开关频率下工作。
商品特性
- 快速开关
- rDS(ON) = 0.018 Ω（典型值），VGS = 10 V
- rDS(ON) = 0.028 Ω（典型值），VGS = 4.5 V
- Qg（典型值）= 9nC，VGS = 5V
- Qgd（典型值）= 3nC
- CISS（典型值）= 970 pF
应用领域
- DC/DC转换器