IPB054N06N3GATMA1
1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPB054N06N3GATMA1
- 商品编号
- C3279165
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.4mΩ@80A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 115W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@58uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 6.6nF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 适用于高频开关和同步整流
- 针对 DC/DC 转换器进行技术优化
- 具有出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积(品质因数)
- N 沟道,常电平
- 100% 雪崩测试
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
- 针对目标应用符合 JEDEC 标准
- 根据 IEC61249-2-21 标准无卤素
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