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IPD900P06NMATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPD900P06NMATMA1

1个P沟道 耐压:60V 电流:16.4A

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商品型号
IPD900P06NMATMA1
商品编号
C3279094
商品封装
TO-252-3-313​
包装方式
编带
商品毛重
0.7克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)16.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)90mΩ@16.4A,10V
属性参数值
功率(Pd)63W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@710uA
栅极电荷(Qg@Vgs)27nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.1nF@30V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

商品特性

  • P沟道
  • 极低导通电阻RDS(on)
  • 100%雪崩测试
  • 正常电平
  • 增强型
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
  • 符合IEC61249-2-21标准的无卤要求

数据手册PDF