FQI13N06LTU
1个N沟道 耐压:60V 电流:13.6A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQI13N06LTU
- 商品编号
- C3278200
- 商品封装
- I2PAK(TO-262)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适用于紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- NVMFWS027N10MCL - 可焊侧翼产品
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准