RM185N30DF
N沟道,电流:185A,耐压:30V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM185N30DF
- 商品编号
- C3277778
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 185A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 95W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.3nF |
商品概述
这款超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。其成果是显著降低导通电阻，并实现超低栅极电荷，适用于对功率密度和效率有较高要求的应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 185A
- 在 VGS = 10V 时,RDS(ON) = 1.1mΩ(典型值)
- 在 VGS = 4.5V 时,RDS(ON) = 1.45mΩ(典型值)
- 出色的栅极电荷×RDS(on) 乘积(品质因数FOM)
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度150°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
-直流-直流转换器-非常适合高频开关和同步整流