MMSF7N03HDR2
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 490pF |
商品概述
TPIC5403是一款单片栅极保护功率DMOS阵列,由四个独立的电隔离N沟道增强型DMOS晶体管组成。每个晶体管都集成了大电流齐纳二极管(ZCXa和ZCXb),以防止在出现过应力情况时栅极受损。使用100 pF电容器与1.5 kΩ电阻器串联的人体模型进行测试时,这些齐纳二极管还能提供高达4000 V的静电放电(ESD)保护。
TPIC5403采用24引脚宽体表面贴装(DW)封装,其工作温度范围为-40°C至125°C。
商品特性
- 超低 RDS(ON) 提供更高效率并延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动 - 可由逻辑IC驱动
- 微型SO - 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
- 二极管适用于桥式电路
- 二极管具有高速、软恢复特性
- 指定了高温下的 IDSS
- 指定了雪崩能量
- 提供SO - 8封装的安装信息
应用领域
- 直流 - 直流转换器
- 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、手机和无绳电话)的电源管理
- 大容量存储产品(如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制
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