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MMSF7N03HDR2

MMSF7N03HDR2

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商品型号
MMSF7N03HDR2
商品编号
C3277012
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.2A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)43nC@10V
输入电容(Ciss)1.19nF
反向传输电容(Crss)120pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)490pF

商品概述

TPIC5403是一款单片栅极保护功率DMOS阵列,由四个独立的电隔离N沟道增强型DMOS晶体管组成。每个晶体管都集成了大电流齐纳二极管(ZCXa和ZCXb),以防止在出现过应力情况时栅极受损。使用100 pF电容器与1.5 kΩ电阻器串联的人体模型进行测试时,这些齐纳二极管还能提供高达4000 V的静电放电(ESD)保护。

TPIC5403采用24引脚宽体表面贴装(DW)封装,其工作温度范围为-40°C至125°C。

商品特性

  • 超低 RDS(ON) 提供更高效率并延长电池寿命
  • 逻辑电平栅极驱动 - 可由逻辑IC驱动
  • 微型SO - 8表面贴装封装 - 节省电路板空间
  • 二极管适用于桥式电路
  • 二极管具有高速、软恢复特性
  • 指定了高温下的 IDSS
  • 指定了雪崩能量
  • 提供SO - 8封装的安装信息

应用领域

  • 直流 - 直流转换器
  • 便携式和电池供电产品(如计算机、打印机、手机和无绳电话)的电源管理
  • 大容量存储产品(如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制

数据手册PDF