MMSF7N03HDR2
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.19nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 490pF |
商品概述
TPIC5403是一款单片栅极保护功率DMOS阵列，由四个独立的电隔离N沟道增强型DMOS晶体管组成。每个晶体管都集成了大电流齐纳二极管（ZCXa和ZCXb），以防止在出现过应力情况时栅极受损。使用100 pF电容器与1.5 kΩ电阻器串联的人体模型进行测试时，这些齐纳二极管还能提供高达4000 V的静电放电（ESD）保护。
TPIC5403采用24引脚宽体表面贴装（DW）封装，其工作温度范围为-40°C至125°C。
商品特性
- 低导通电阻rDS(on) ……典型值0.23 Ω
- 高电压输出 ……60 V
- 增强的ESD防护能力 ……4000 V
- 脉冲电流 ……每通道11.25 A
- 快速换向速度
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