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SPP17N80C3
1个N沟道 耐压:800V 电流:17A
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- 描述
- N沟道,800V,17A,290mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPP17N80C3
- 商品编号
- C36789
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 290mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：17A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：290 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：177nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2320pF @ 25V
功率 - 最大值：208W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3-1
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：17A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：290 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：177nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2320pF @ 25V
功率 - 最大值：208W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3-1
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起订量：1 个50个/管
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