IRFR2407
N沟道 耐压:75V 电流:42A
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- 描述
- N沟道,75V,42A,26mΩ@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFR2407
- 商品编号
- C40514
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 5.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 340pF |
商品概述
第七代HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。 D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本(IRFU系列)适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5瓦。
商品特性
~~- 先进的工艺技术-动态dv/dt额定值-快速开关-全雪崩额定
