温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLMS6802TRPBF
1个P沟道 耐压:20V 电流:5.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- P沟道,-20V,-5.6A,50mΩ@-4.5V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLMS6802TRPBF
- 商品编号
- C43184
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V,5.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.079nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些P沟道MOSFET采用先进的加工技术，以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于电池和负载管理应用。 Micro6™封装采用定制化引线框架，生产出的HEXFET®功率MOSFET的RDS(on)比同等尺寸的SOT - 23封装低60%。该封装非常适合印刷电路板空间有限的应用。独特的散热设计和RDS(on)的降低，使其电流处理能力比SOT - 23封装提高了近300%。
商品特性
- 超低导通电阻
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 无铅