- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 3.4A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 35V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 20 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 工作温度 | - |
商品概述
该射频线路NPN硅功率晶体管主要设计用于30 - 200 MHz频率范围内的宽带大信号驱动和输出放大器级。在150 MHz、28 V直流条件下保证性能。输出功率 = 30 W，最小增益 = 10 dB。在所有相位角下以30:1的电压驻波比（VSWR）对负载失配进行100%测试。采用金金属化系统，适用于高可靠性应用。