- 引脚图
- 焊盘图
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IRG4BH20K-SPBF
IRG4BH20K-SPBF
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRG4BH20K-SPBF
- 商品编号
- C3190510
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 11A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 22A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.17V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.3V@15V,5A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 435pF | |
| 输出电容(Coes) | 44pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 8.3pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 23ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 93ns | |
| 导通损耗(Eon) | 450uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 440uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 针对电机控制优化的高短路耐受能力，在 VCC = 720V、TJ = 125°C、VGE = 15V 条件下，tsc = 10µs
- 结合了低导通损耗与高开关速度
- 最新一代设计提供比前几代更严格的参数分布和更高的效率
- 行业标准 D2Pak 封装
- 无铅