- 引脚图
- 焊盘图
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STGB30H65DFB2
STGB30H65DFB2
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- 描述
- 采用 D2PAK 封装的沟槽栅极场截止 650 V、30 A 高速 HB2 系列 IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB30H65DFB2
- 商品编号
- C3190547
- 商品封装
- D2PAK-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 90A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.57nF | |
| 输出电容(Coes) | 98pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 40pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18.4ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 71ns | |
| 导通损耗(Eon) | 270uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 310uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 115ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
最新的650V HB2系列IGBT代表了先进专有沟槽栅场截止结构的演进。HB2系列的性能在导通方面进行了优化，这得益于低电流值下更好的VCE(sat)行为，以及降低的开关能量。一个非常快速的软恢复二极管与IGBT反并联共封装。结果是一款专为在广泛的快速应用中最大化效率而设计的产品。
商品特性
- 最大结温：Tj=175℃
- 低VCE(sat)=1.65V（典型值，Ic=30A）
- 非常快速且软恢复的共封装二极管
- 最小化的尾电流
- 紧密的参数分布
- 低热阻
- 正的VCE(sat)温度系数
应用领域
- 焊接
- 功率因数校正
- UPS
- 太阳能逆变器
- 充电器