IRG4RC10UDTRRP
IRG4RC10UDTRRP
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRG4RC10UDTRRP
- 商品编号
- C3190814
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 8.5A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.6V@15V,5A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 40ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 87ns | |
| 导通损耗(Eon) | 140uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 120uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 28ns | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- 超快：针对中等工作频率进行优化（硬开关模式下为 8 - 40 kHz，谐振模式下约 200 kHz）。
- 第四代 IGBT 设计，与前代相比，参数分布更紧密，效率更高。
- IGBT 与 HEXFREDTM 超快、超软恢复反并联二极管共封装，适用于桥式配置。
- 采用行业标准 TO - 252AA 封装。
- 无铅。