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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP2302GN

N沟道增强型功率MOSFET

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描述
采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。为设计人员提供了一种极其高效的器件,可用于广泛的电源应用。特殊设计的SOT-23封装具有良好的热性能,广泛适用于所有使用红外回流技术的商业-工业表面贴装应用,适用于电压转换或开关应用。
品牌名称
APEC(富鼎)
商品型号
AP2302GN
商品编号
C394790
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.2A
导通电阻(RDS(on))115mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1.38W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)4.4nC
输入电容(Ciss)145pF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

AP2302系列采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种高效器件,可广泛应用于各种电源领域。 特殊设计的SOT - 23封装具有良好的热性能,在所有采用红外回流技术的商业 - 工业表面贴装应用中广受青睐,适用于电压转换或开关应用。

商品特性

-支持2.5V栅极驱动-小封装尺寸-表面贴装封装-符合RoHS标准

数据手册PDF