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AP2306AGN
N沟道增强型功率MOSFET
- 描述
- 先进功率MOSFET采用先进的处理技术，以实现尽可能低的导通电阻，是极为高效且具有成本效益的器件。SOT-23封装普遍用于所有商业-工业应用。
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP2306AGN
- 商品编号
- C394791
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
先进功率MOSFET采用先进的加工技术，尽可能降低导通电阻，是极其高效且具成本效益的器件。 SOT - 23封装广泛应用于所有商业和工业领域。
商品特性
-可实现2.5V栅极驱动-更低的导通电阻-表面贴装封装