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AP18N20GH
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- AP18N20系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种可用于广泛功率应用的高效器件。TO - 252封装在所有采用红外回流技术的商业 - 工业表面贴装应用中广受欢迎，并且由于其连接电阻低，适用于大电流应用
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP18N20GH
- 商品编号
- C394802
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 89W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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