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AP2302AGN
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- AP2302A系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种电源应用。具有良好热性能的特殊设计SOT - 23封装，在所有采用红外回流技术的商业 - 工业表面贴装应用中广受欢迎，适用于电压转换或开关应用
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP2302AGN
- 商品编号
- C394800
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 480pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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起订量：5 个3000个/圆盘
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