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AP9971GH
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- AP9971系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种超高效的器件，可广泛应用于各种电源领域。TO - 252封装在所有采用红外回流焊技术的商业 - 工业表面贴装应用中广受欢迎，并且由于其连接电阻低，适用于大电流应用
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP9971GH
- 商品编号
- C394794
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
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