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FDMS7698
1个N沟道 耐压:30V 电流:13.5A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总体效能以及最大程度降低其开关节点噪声而设计，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 rDS(on)、快速开关和体二极管反向恢复性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7698
- 商品编号
- C393367
- 商品封装
- PQFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.211克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.605nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 495pF |
商品概述
GT1003A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 13.5 A 时,最大 rDS(on) = 10 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 11.0 A 时,最大 rDS(on) = 15 m Ω
- 采用先进的封装和硅片组合,实现低RDS(ON)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术,实现软恢复
- MSL1坚固封装设计
- 100%经过UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑的IMVP Vcore开关
- 台式机和服务器的VRM Vcore开关
- 或门FET/负载开关
- DC-DC转换
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