NTGS5120PT1G
1个P沟道 耐压:60V 电流:2.9A
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- 描述
- 功率 MOSFET,60V,P 沟道,TSOP6
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTGS5120PT1G
- 商品编号
- C393374
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 142mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.1nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 60 V BVds,采用TSOP-6封装的低RDS(on)
- 4.5 V栅极额定电压
- NV前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这是一款无铅器件
应用领域
- 高端负载开关
- 打印机、通信设备的电源开关
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