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NTZD3152PT1G
2个P沟道 耐压:20V 电流:430mA
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- 描述
- 这是一款 20 V 双 P 沟道功率 MOSFET，带 ESD 防护。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTZD3152PT1G
- 商品编号
- C393372
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 430mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 175pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on)),提高系统效率
- 低阈值电压
- 栅极具备静电放电(ESD)保护
- 小尺寸封装,尺寸为1.6×1.6 mm
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准
应用领域
- 负载/电源开关
- 电源转换电路
- 电池管理
- 手机、数码相机、个人数字助理(PDA)、寻呼机等
- NTGS5120PT1G
- NUP2114UCMR6T1G
- CM1293A-04SO
- 1.5SMCJ40A_R1_00001
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- BZT52-C2V4_R1_00001
- BZT52-B6V8_R1_00001
- BZT52-B12_R1_00001
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- DL4744A_R1_10001
- ER506_AY_10001
- ER806_TO_00001
- ES1006FL_R1_00001