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FDS8690
1个N沟道 耐压:30V 电流:14A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8690
- 商品编号
- C393368
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.208克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 715pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低导通电阻rDS(on)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 最大导通电阻rDS(on) = 7.6 mΩ,栅源电压VGS = 10 V,漏极电流ID = 14 A
- 最大导通电阻rDS(on) = 11.4 mΩ,栅源电压VGS = 4.5 V,漏极电流ID = 11.5 A
- 高性能沟槽技术,实现极低的导通电阻rDS(on)和快速开关
- 极低的栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 100%进行栅极电阻RG测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-笔记本电脑CPU电源-同步整流器
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