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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
- BSP16T1G
- FDMS7682
- FDMS7694
- MM3Z6V2T1G
- NTZD3152PT1G
- NUP2114UCMR6T1G
- NTGS5120PT1G
- CM1293A-04SO
- 1.5SMCJ40A_R1_00001
- 1N4148W-AU_R1_00001
- 1N4148WS-AU_R1_00001
- 2EZ12_AY_10001
- 2EZ14_AY_10001
- BC857C_R1_00001
- BZD27C13P_R1_00001
- BZT52-B14S_R1_00001
- BZT52-C16S-AU_R1_00001
- BZT52-C47S-AU_R1_00001
- BZT52-C2V4_R1_00001
- BZT52-B6V8_R1_00001
- BZT52-B12_R1_00001