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FDMS7682
1个N沟道 耐压:30V 电流:59A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 专用于提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声，可以使用同步开关 PWM 控制器，也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS7682
- 商品编号
- C393365
- 商品封装
- Power56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.204克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.885nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 640pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高整体效率而设计，可最大限度减少使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的开关节点振铃。它针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和体二极管反向恢复性能进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 14 A时，最大rDS(on) = 6.3 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 11 A时，最大rDS(on) = 10.4 mΩ
- 采用先进的封装和硅片组合，实现低rDS(on)和高效率
- 下一代增强型体二极管技术，具备软恢复特性
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UII测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 笔记本电脑的IMVP Vcore开关
- 台式机和服务器的VRM Vcore开关
- 或门FET/负载开关
- DC-DC转换