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VBL2102M
1个P沟道 耐压:100V 电流:10A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO263；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBL2102M商品编号
C3040321商品封装
TO-263包装方式
管装
商品毛重
2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 200mΩ@10V,10A |
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