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VBL2102M
P沟道,电流:12A,耐压:100V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO263；P—Channel沟道,-100V；-12A；RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL2102M
- 商品编号
- C3040321
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V；240mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC