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FQPF4N60-VB
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET，采用Plannar技术制造，具有高性能和可靠性。适用于各种电源和功率控制应用。TO220F；N—Channel沟道,650V；4A；RDS(ON)=2500mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQPF4N60-VB
- 商品编号
- C3040324
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 177pF |
商品概述
TF060N04NG将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-低漏源导通电阻,可将传导损耗降至最低-低栅极电荷,实现快速开关-低热阻
应用领域
-主板/显卡核心电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器