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IRFB59N10DPBF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:70A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于需要高功率、高效能量转换和可靠性能的领域和模块，如电源模块、电动工具、汽车电子和工业自动化等。TO220；N—Channel沟道,100V；70A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFB59N10DPBF-VB商品编号
C3040327商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.78克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18mΩ@10V,70A |
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