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50N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
- 描述
- 特性：175℃结温。 TrenchFET功率MOSFET
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 50N06
- 商品编号
- C3040334
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 325pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 570pF |