4N06L30-VB
N沟道,电流:45A,耐压:60V
描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用的需求,适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252;N—Channel沟道,60V;45A;RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
4N06L30-VB商品编号
C3040331商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 45A | |
导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,15A | |
耗散功率(Pd) | 3W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.5nF@25V | |
反向传输电容(Crss) | 60pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
1+¥1.83
10+¥1.79
30+¥1.76
100+¥1.74¥4350
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
0
江苏仓
21
购买数量(2500个/圆盘,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个2500个/圆盘
近期成交4单
精选推荐
- 优惠券
- 芯媒体
- 建议反馈
- 投诉意见
- 收起