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20N20-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型场效应管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、通信设备模块、汽车电子模块等领域。TO252；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
20N20-VB商品编号
C3040322商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@10V,30A |
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