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GT650N15K
1个N沟道 耐压:150V 电流:20A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT650N15K
- 商品编号
- C3038555
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 74.7pF |
商品概述
NP6003HR采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)），适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 4 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 65 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 78 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻。
- 雪崩电压和电流特性全面表征。
- 低栅漏电荷，降低开关损耗。
应用领域
- 电源开关应用。
- 硬开关和高频电路。
- 不间断电源。