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G20N06D52
2个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- G20N06D52采用先进的沟槽技术和设计，在实现低栅极电荷的同时，提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G20N06D52
- 商品编号
- C3038570
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.22nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF |
商品概述
GT105N10F采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS 100V
- ID（VGS = 10 V时）33A
- RDS(ON)（VGS = 10 V时）< 10.5 mΩ
- RDS(ON)（VGS = 4.5 V时）< 15 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器